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HL: Halbleiterphysik
HL 2: III-V Halbleiter
HL 2.6: Vortrag
Montag, 24. März 2003, 11:45–12:00, BEY/118
Optische Untersuchungen an Stickstoff-implantiertem GaAs — •Steffen Sinning, Thomas Dekorsy und Manfred Helm — Forschungszentrum Rossendorf; PF: 510119; 01314 Dresden
Seit mehreren Jahren werden verdünnte Legierungen aus III-V-Halbleitern und Stickstoff intensiv untersucht. Eine hervorstechende Eigenschaft dieser Systeme ist die starke Reduktion der Bandlücke mit steigendem Stickstoffgehalt. Neben epitaktischem Wachstum ist Ionenimplantation eine weitere Methode zur Herstellung solcher Materialien.
Wir untersuchen die optischen Eigenschaften und deren Abhängigkeit von den Implantations- und Ausheilbedingungen für GaNxAs1−x (x<0,04). Es zeigt sich, dass unter entsprechenden Bedingungen der von der Implantation verursachte Schaden minimiert und die Bandkantenverschiebung maximiert werden kann. Eine in Photoreflexion beobachtete Bandlückenverschiebung von 63meV konnte bei einer implantierten N-Konzentration von 1% beobachtet werden. Der Einfluss der modifizierten Bandstruktur auf die Ladungsträgerdynamik wird in Femtosekunden zeitaufgelösten pump-probe Experimenten untersucht.