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HL: Halbleiterphysik

HL 2: III-V Halbleiter

HL 2.7: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 12:00–12:15, BEY/118

Anwendung von konvergenter Elektronenbeugung und Biegekonturkontrastanalyse zur Analyse von Kristallpolarität und Grenzflächen in III-V-Verbindungshalbleitern — •Tanja Trenkner, Christian Jäger, Erdmann Spiecker und Wolfgang Jäger — Mikrostrukturanalytik, Technische Fakultät, CAU Kiel, Kaiserstrasse 2, 24143 Kiel

Die mikroskopische Charakterisierung von Grenzflächen und Defekten in III-V- Halbleitermaterialien mit Zinkblendestruktur erfordert Methoden zur lokalen Bestimmung der Kristallpolarität. Frühere transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an GaAs-Einkristallen zeigten, dass das Vorzeichen der Kristallpolarität mittels konvergenter Elektronenbeugung im Transmissionselektronenmikroskop (TEM) aus der Asymmetrie des Kontrastverhaltens von Bragg-Linien in {002}-Beugungsreflexen ermittelt werden kann [1]. Auf ähnliche Weise können auch Kontrastphänomene in Abbildungen von Biegekonturen oder bei konvergenter Elektronenbeugung unter großen Winkeln verwendet werden [2,3]. Experimentelle Ergebnisse für InP, GaAs und GaP werden mit Kontrastsimulationen unter Berücksichtigung der dynamischen Elektronenstreuung verglichen und Anwendungen auf die Grenzflächenanalyse von Hohlräumen in InP und von Makroporen in GaAs und GaP vorgestellt.

[1] J. Taftø, J. Spence, J. Appl. Cryst., 15 (1982) 60

[2] E. Spiecker, Ultramicroscopy, 92 (2002) 111

[3] Ch. Jäger, E. Spiecker, J.P. Morniroli, W. Jäger,

Ultramicroscopy, 92 (2002) 273