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HL: Halbleiterphysik

HL 2: III-V Halbleiter

HL 2.9: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 12:30–12:45, BEY/118

Kathodolumineszenz-Untersuchungen an implantiertem AlN — •Jan Zenneck, Ulrich Vetter, Carsten Ronning und Hans Hofsäss — II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstr. 7-9, 37073 Göttingen

Gruppe-III-Nitride haben in den letzten Jahren stetig an Bedeutung gewonnen. Da sie Eigenschaften wie die große Bandlücke mit guter Wärmeleitfähigkeit und hoher Härte vereinen, werden viele optoelektronische Bauteile mittlerweile aus GaN (E_g=3.4eV) hergestellt. Aluminium-Nitrid besitzt eine bessere Wärmeleitfähigkeit und eine Bandlücke von 6.0eV und ist daher für optoelektronische Anwendungen im UV-Bereich interessant. Es ist aber bisher kaum experimentell untersucht worden. Wir haben monokristallines (0001) AlN durch Ionenimplantation mit möglichen Donatoren und Akzeptoren der Gruppen II und VI dotiert. Zum Vergleich wurden außerdem die Edelgase Ne und Ar implantiert. Die Proben wurden dann bei 600^∘C−1100^∘C unter Vakuum ausgeheilt und jeweils mittels Kathodolumineszenz untersucht. Außerdem wurden AlN-Kristalle mit seltenen Erden implantiert, die extrem scharfe intra-4f-Lumineszenz im Ultravioletten zeigen. Somit ergibt sich die Möglichkeit UV-Lichtquellen zu realisieren. In diesem Beitrag werden wir die Fluenzabhängigkeit des Strahlenschadens, das Ausheilverhalten nach Implantation und die Lumineszenz von AlN diskutieren.