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HL: Halbleiterphysik
HL 20: Halbleiterlaser III
HL 20.3: Vortrag
Dienstag, 25. März 2003, 11:30–11:45, BEY/154
Spiegelfacetten-Degradation von (AlIn)GaN-Laserdioden — •V. Kümmler, S. Bader, G. Brüderl, S. Miller, A. Leber, A. Weimar, A. Lell und V. Härle — OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg
Bei OSRAM OS werden (AlIn)GaN-Laserdioden für optische Speicheranwendungen und hochauflösende Laserdrucker mit Wellenlängen zwischen λ = 400 − 420 nm entwickelt. Die Laserdioden werden ohne aufwändige Defektreduktion (wie z.B. ELOG) auf leitfähigem SiC-Substraten aufgewachsen, welches Kantenemitter mit vertikalem Stromfluss und gebrochenen Facetten (Rauhigkeit < 1 nm) ermöglicht. Die Laserdioden zeigen DC-Schwellenstromdichten von jth 5.3 kA/cm2 und Schwellenspannungen von Uth 5.9 V. Die Lebensdauer liegt bei einer optischen Ausgangsleistung von 1 mW bei 143 Stunden. In diesem Beitrag werden Alterungs-Untersuchungen an Laserdioden mit unterschiedlicher Verspiegelung präsentiert, um den Einfluss der Photonen auf den Alterungsprozess („Recombination-Enhanced Defect Reaction“) [1] zu klären. Nach diesem Modell sollten verspiegelte Laser schneller degradieren als Laser mit unverspiegelten Facetten aufgrund der höheren Photonendichte im Resonator bei gleicher Stromdichte. Jedoch beobachten wir keinen Einfluss durch die Photonendichte im Resonator, sondern eine starke Abhängigkeit von der Vergütung der Facette. Laser mit unverspiegelten / unpassivierten Facetten altern im Betrieb wesentlich schneller als solche mit Passivierung.
[1] D. V. Lang and L. C. Kimerling, Phys. Rev. Lett., 33, 489 (1974)