Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Halbleiterlaser III

HL 20.5: Talk

Tuesday, March 25, 2003, 12:00–12:15, BEY/154

GaInP-Ridge-Trapezlaser hoher Brillianz — •Stefan Schmid¹, Martin Zimmermann¹, Monika Ubl¹, Hedwig Gräbeldinger¹, Heinz Schweizer¹, Ferdinand Scholz¹, Christian Karnutsch², Norbert Linder² und Klaus Streubel² — ¹Universität Stuttgart, 4. Physikalisches Institut, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart — ²OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg

Hochleistungshalbleiterlaser im roten Spektralbereich (630 − 700 nm) mit guter Strahlqualität sind insbesondere für Display- und Projektionstechnik, Medizintechnik und Laserkühlung sehr gefragt. Wir haben GaInP/AlGaInP Ridge-Trapezlaser hergestellt und untersucht, bei denen ein Rippenwellenleiter-Injektor mit Grundmoden-Emission in einen monolithisch integrierten astabilen Trapezverstärker koppelt.

Bei gepulsten Messungen in Verbindung mit einem eindimensionalen Strahlpropagations-Modell wurde festgestellt, daß zur Erzielung guter Strahlqualitäten bei gegebener Trapezlänge ein möglichst langer Injektor vorteilhaft ist. Die bisherigen Untersuchungen im cw-Betrieb zeigen bei Verwendung eines gewinngeführten Trapezverstärkers gegenüber einem indexgeführten eine reduzierte Rückkopplung des Lichts am Trapezausgang auf den Resonator, was wiederum geringere Filamentierung, damit bessere Strahlqualität und eine höhere COD-Schwelle bewirkt. Bei der Emissionswellenlänge λ ≈ 640 nm konnten Strahlqualitätsparameter M² < 1.6 bis zu kollimierten cw-Leistungen von 310 mW gezeigt werden.