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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Neue Materialien

HL 21.2: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 11:45–12:00, BEY/118

Kristallisation von GeSbTe-Legierungen für optische Datenspeicher — •Stefan Ziegler, Oliver Heinen, Axel Heinrici und Matthias Wuttig — I. Physikalisches Institut A, RWTH-Aachen

Für die optische Datenspeicherung auf Basis von Phasenwechselmedien sind in erster Linie Te-reiche Chalkogenidlegierungen zukunftsweisend. Diese zeichnen sich durch schnelles Kristallisationsverhalten aus, was für hohe Übertragungsraten und große Datendichten unabdingbar ist. Um die Zusammensetzung der Legierungen für die Anwendung systematisch optimieren zu können, muss zunächst die Abhängigkeit der Umwandlungskinetik von der Stoichiometrie aufgeklärt werden.

Dazu werden in dieser Arbeit Messungen an AgInSbTe, eine auf dem Eutektikum Sb₂Te basierende Legierung, und Ge₁Sb₂Te₄, Ge₂Sb₂Te₅ und Ge₄Sb₁Te₅ als Vertreter der auf der pseudobinären Linie des GeSbTe-Systems liegenden Legierungen vorgestellt. Dabei stellt sich heraus, dass AgInSbTe eine langsame Nukleation und schnelles Kristallwachstum (fast growth) zeigt, während die Legierungen auf der pseudobinären Linie das Gegenteil (fast nucleation) aufweisen. Ein Erklärungsmodell für dieses Verhalten wird vorgestellt und diskutiert.