Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 24: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I

HL 24.11: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 17:45–18:00, BEY/118

Untersuchungen zur vertikalen Stapelung von selbstorganisierten GaInN-Quantenpunkten — •A. Erb, V. Perez-Solorzano, H. Gräbeldinger, H. Schweizer und F. Scholz — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, 70550 Stuttgart

Selbstorganisierte GaInN-Quantenpunkte (QD) können die Erschließung des blauen und grünen Spektralbereichs mit Laserdioden ermöglichen. Für solche Anwendungen sind hohe QD-Dichten bei homogenen Abmessungen der einzelnen Punkte erforderlich. Wie von anderen Materialsystemen bekannt, können diese Eigenschaften durch Mehrfachstapelung von QD-Schichten verbessert werden. Die GaInN-QD werden mittels MOVPE im Stranski-Krastanov-Wachstumsmodus auf GaN-Pufferschichten hergestellt. Ziel unserer jüngsten Arbeiten ist es, die GaN-Deckschicht über den GaInN-QD soweit zu optimieren, dass weitere QD-Schichten erfolgreich gestapelt werden können. Dafür variieren wir Epitaxie-Parameter wie Wachstumstemperatur, Schichtdicken und Pausen zwischen den verschiedenen Schichten. Wie mit Rasterkraft-Mikroskopie nachgewiesen wurde, erzielt man bei der Bedeckung der GaInN-QD mit einer dünnen Tieftemperatur GaN-Schicht und einer weiteren GaN-Schicht bei höheren Temperaturen eine glatte Oberfläche. Hierauf kann die nächste QD-Schicht epitaxiert werden. Photolumineszenz-Messungen sollten weiterhin sicherstellen, dass die GaInN-QD beim Überwachsen nicht zerstört wurden.