Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I

HL 24.14: Talk

Tuesday, March 25, 2003, 18:30–18:45, BEY/118

Epitaxie und Charakterisierung von ELOG-GaN-Strukturen auf SiC-Substraten — •S. Miller¹, H.-J. Lugauer¹, A. Leber¹, G. Brüderl¹, A. Lell¹, V. Härle¹, N. Gmeinwieser², U. Schwarz², K. Engl² und F. Habel³ — ¹OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg — ²Universität Regensburg, Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, 93040 Regensburg — ³Universität Ulm, Abteilung Optoelektronik, 89081 Ulm

Für die Lebensdauer GaN-basierender Halbleiterlaserdioden sind Kristallqualität und Defektdichte der GaN-Schichten von entscheidender Bedeutung. Bei der herkömmlichen Heteroepitaxie von GaN auf SiC-Substraten werden typische Defektdichten im Bereich von 10 ⁹ cm⁻² erzeugt. Mit Hilfe von ELOG-Technologien (Epitaxial Lateral OverGrowth) ist es möglich, GaN-Schichten mit Defektdichten unterhalb 10⁸ cm⁻² herzustellen.
Vorgestellt werden Untersuchungen an ELOG-GaN-Strukturen, die mittels MOVPE auf SiC-Substraten abgeschieden wurden. Die Morphologie der Schichten wurde mittels REM charakterisiert.TEM- und AFM- Aufnahmen zeigen Verlauf und Dichte der Defekte. Ortsaufgelöste Tieftemperatur-PL-Messungen geben Aufschluss über Verspannung und Qualität der GaN-Schichten im Fenster und Wing-Bereich der ELOG-Strukturen.