Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 24: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I

HL 24.15: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 18:45–19:00, BEY/118

Lokalisierungseigenschaften und optische Verstärkung in kubischen InGaN/GaN Heterostrukturen — •Christoph Hums¹, Matthias Dworzak¹, Martin Strassburg¹, Axel Hoffmann¹, Shunfeng Li², Alexander Khartchenko², Donat J. As² und Klaus Lischka² — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Universität Paderborn, Fachbereich 6 Physik, Warburger Str. 100, 33098 Paderborn

Die im Vergleich zum hexagonalen GaN um 200 meV geringere Bandlückenenergie der kubischen Phase ermöglicht die Realisierung blau-grün emittierender Laserstrukturen. Für die gewünschte langwellige Verschiebung der Emissionsenergie ist hierbei ein geringerer In-Gehalt erforderlich. Zudem ist der Einfluss interner elektrischer Felder und somit die örtliche Separation von Elektronen und Löchern stark reduziert. Das erhöht die Lumineszenzeffizienz. Mittels temperaturabhängiger Photolumineszenzspektroskopie werden die Lokalisierungseigenschaften in der aktiven Zone kubischer InGaN/GaN/GaAs Laserstrukturen anhand des charakteristischen Verhaltens von Peakenergie und Halbwertsbreite der Emission unterschieden sowie die Aktivierungsenergie der Lokalisierungszentren ermittelt. Untersuchungen bei höheren Anregungsdichten geben Aufschluss, welche Gewinnmechanismen auftreten und welchen Einfluss die Lokalisierungseigenschaften auf die Lasing- Schwellwertdichte besitzen. Schließlich führt der geringere In-Gehalt zu einer homogeneren In- Verteilung in der aktiven Zone, was durch die unterdrückte Blauverschiebung der Emissionsenergie mit zunehmender Anregungsdichte belegt wird.