Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I
HL 24.1: Talk
Tuesday, March 25, 2003, 15:15–15:30, BEY/118
Konzepte zur Verspannungs- und Versetzungsreduktion in der GaN-Epitaxie auf Si(111) — •Armin Dadgar1, Gunther Straßburger1, Jürgen Bläsing1, Margarethe Poschenrieder1, Oscar Contreras2, Andre Krtschil1, Till Riemann1, Antje Reiher1, Fernando A. Ponce2, Jürgen Christen1 und Alois Krost1 — 1Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, Postfach 4120, 39016 Magdeburg — 2Department of Physics and Astronomy, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
Das Wachstum von dicken GaN Schichten auf Silizium ist durch die hohe thermische Fehlanpassung der Materialien sehr erschwert. Daher ist die Kompensation der thermisch induzierten tensilen Verspannung der Schlüssel zur Herstellung von GaN-basierten Bauelementen auf Silizium. Wir verwenden zur Reduktion von Verspannungen in der metallorganischen Gasphasenepitaxie Niedertemperatur AlN-Zwischenschichten, die auch die Versetzungsdichte reduzieren können. Desweiteren kann auch durch in-situ abgeschiedene SiN-Masken eine Reduktion der Versetzungsdichte und teilweise der Schichtverspannung erzielt werden. Mit einer in-situ Meßtechnik haben wir die Verspannung während des Schichtwachstums gemessen und können direkt den Einfluß von Zwischenschichten auf die Verspannung beobachten. Die Messungen der Schichtverspannung werden ergänzt durch die ex-situ Untersuchung der strukturellen und optischen Eigenschaften mittels Röntgendiffraktometrie, Photo- und Kathodolumineszenz, Rasterkraft- und Transmissionselektronenmikroskopie.