Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I

HL 24.2: Talk

Tuesday, March 25, 2003, 15:30–15:45, BEY/118

Tiefenaufgelöste Strukturuntersuchungen an Nitrid-Halbleiter-Schichtsystemen mittels SAXRD (Skew Angle X-Ray Diffraction) — •Antje Reiher, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar und Alois Krost — Universität Magdeburg, Postfach 4120, D- 39016 Magdeburg

Das wesentliche Problem bei der Züchtung von nitridischen Halbleiterschichten ist die hohe Störungsdichte, die sich aus Versetzungen, inhomogenen Verzerrungen und der Mosaizität der Kolumnen zusammensetzt. Wenn die Mosaizität durch herkömmliche Röntgendiffraktionsmessungen bestimmt wird, ist das Ergebnis eine Mittelung über die gesamte Schichtdicke.

In diesem Beitrag wird die Methode der SAXRD vorgestellt, mit der das Störungsprofil z.B. von GaN tiefenabhängig bestimmt werden kann. Dabei wird die Probe um die Normale der asymmetrischen (1013)Netzebenenschar gedreht. Durch die Drehung wird der Einfallswinkel und damit die Wichtung der Streubeträge aus den unterschiedlichen Tiefen verändert. Mit dem vorgestellten Aufbau sind hochauflösende Diffraktionsmessungen wie Rockingkurven, 2:1-Scans und reciprocal space maps (RSMs) möglich. Es wird eine Möglichkeit aufgezeigt, mit der die realen Halbwertsbreiten aus den gemessenen, gewichtet gemittelten Halbwertsbreiten bestimmt werden können.