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HL: Halbleiterphysik

HL 24: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I

HL 24.3: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 15:45–16:00, BEY/118

Einfluss von Störstellen und Inhomogenitäten auf die photoelektrischen Eigenschaften von undotierten GaN-Schichten — •K. Flügge, H. Witte, E. Schrenk, A. Krtschil, A. Dadgar, A. Krost und J. Christen — Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Postfach 4120 Magdeburg

Nominell undotierte GaN-Schichten hergestellt mit der Metallorganischen Gasphasenepitaxie auf Saphirsubstraten wurden mittels Photoleitung und Photo-Halleffekt untersucht. In undotiertem GaN mit geringer Dunkelbeweglichkeit wurde als wesentliche Komponente der Photoleitung eine Erhöhung der Photo-Beweglichkeit beobachtet. Während dessen zeigt die Photo-Elektronenkonzentration nur eine geringfügige Verringerung oder Erhöhung. Mittels intensitätsabhängigen Photo-Halleffekt- und ortsaufgelösten Oberflächenpotential- Messungen wird der Zusammenhang zwischen Potentialfluktuationen und der Erhöhung der Photo-Beweglichkeit nachgewiesen. Weiterhin weisen spektrale Photo-Halleffekt-Messungen ausgeprägte Störstellen-Band-Übergänge auf. An diesen Proben durchgeführte Quenching Experimente zeigen, dass diese Effekte durch die Umladung von inhomogen verteilten Störstellen erzeugt werden, die mit den nachgewiesenen Potentialfluktuationen im Zusammenhang stehen.