Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 24: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I
HL 24.8: Vortrag
Dienstag, 25. März 2003, 17:00–17:15, BEY/118
Optische Nahfeldspektroskopie an GaN ELOG-Strukturen — •F. Hitzel1, A. Hangleiter1, S. Miller2, A. Weimar2, G. Brüderl2, A. Lell2 und V. Härle2 — 1Institut für Technische Physik, Technische Universität Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, 38106 Braunschweig — 2OSRAM Opto Semiconductors, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg
Für die Herstellung von GaN basierten Laserdioden ist man auf Techniken zur Defektreduzierung angewiesen, um die erforderlichen Lebensdauern zu erreichen [1]. Die gebräuchlichsten Methoden sind die sogenannten Epitaxial Lateral Overgrowth (ELOG)-Techniken. Die Effizienz der Defektreduzierung hängt davon ab, ob beim Wachstum durch zusätzliche Verspannungen nicht neue Defekte eingebaut werden.
Eine direkte Kontrolle einer ELOG-Struktur bezüglich Defektdichte und Verspannungen ermöglicht das Optische Nahfehldmikroskop, mit Hilfe dessen mit Auflösungen besser als 100 nm die Unterschiede zwischen lateral (Wing) und vertikal (Window) gewachsenen Bereichen untersucht werden können. Die Defektdichte hängt hierbei direkt mit der Lumineszenzintensität und die Verspannung mit der Verschiebung der maximalen Emissionswellenlänge zusammen.
Wir haben verschiedenartig gewachsene GaN-ELOG-Strukturen bezüglich der Effizienz der Defektreduzierung untersucht. Es konnte ein Zusammenhang zwischen Wing-Tilt und einer erhöhten Defektdichte am Wing-Window-Interface festgestellt werden, die wiederum zu einem inhomogenen Wachstum im Wing führt.
[1] S. Nakamura et. al., Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).