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15:15 |
HL 24.1 |
Konzepte zur Verspannungs- und Versetzungsreduktion in der GaN-Epitaxie auf Si(111) — •Armin Dadgar, Gunther Straßburger, Jürgen Bläsing, Margarethe Poschenrieder, Oscar Contreras, Andre Krtschil, Till Riemann, Antje Reiher, Fernando A. Ponce, Jürgen Christen und Alois Krost
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15:30 |
HL 24.2 |
Tiefenaufgelöste Strukturuntersuchungen an Nitrid-Halbleiter-Schichtsystemen mittels SAXRD (Skew Angle X-Ray Diffraction) — •Antje Reiher, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar und Alois Krost
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15:45 |
HL 24.3 |
Einfluss von Störstellen und Inhomogenitäten auf die photoelektrischen Eigenschaften von undotierten GaN-Schichten — •K. Flügge, H. Witte, E. Schrenk, A. Krtschil, A. Dadgar, A. Krost und J. Christen
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16:00 |
HL 24.4 |
Wachstum und Charakterisierung von AlGaN/GaN HEMTs auf Si-Substraten — •H. Kalisch, Y. Dikme, M. Fieger, A. Szymakowski, H. Klockenhoff, P. Javorka, M. Marso, N. Nastase, P. Kordos, H. Lüth, M. Heuken und R. H. Jansen
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16:15 |
HL 24.5 |
Korrelationsuntersuchungen von strukturellen und optischen Eigenschaften von (InxGa1−xN/GaN)-Multiquantumwellstrukturen auf Si(111) — •Fabian Schulze, J. Bläsing, A. Dadgar, M. Poschenrieder und A. Krost
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16:30 |
HL 24.6 |
Hydrogen sensitivity of Pt and Pd Schottky diodes on GaN and AlGaN — •O. Weidemann, M. Hermann, G. Steinhoff, M. Stutzmann, and M. Eickhoff
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16:45 |
HL 24.7 |
Electron Spin Resonance of Mn2+ in hexagonal wurtzite GaN and AlN films — •T. Graf, M. Gjukic, M. S. Brandt, O. Ambacher, and M. Stutzmann
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17:00 |
HL 24.8 |
Optische Nahfeldspektroskopie an GaN ELOG-Strukturen — •F. Hitzel, A. Hangleiter, S. Miller, A. Weimar, G. Brüderl, A. Lell und V. Härle
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17:15 |
HL 24.9 |
Crystallographic wing tilt in laterally overgrown GaN — •Claudia Roder, Heidrun Heinke, Detlef Hommel, Thomas M. Katona, James S. Speck, and Steve P. DenBaars
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17:30 |
HL 24.10 |
MOCVD growth of thick, crack free GaN on Si(111) using a graded AlxGa1−xN high temperature buffer layer — •Andreas Able und Werner Wegscheider
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17:45 |
HL 24.11 |
Untersuchungen zur vertikalen Stapelung von selbstorganisierten GaInN-Quantenpunkten — •A. Erb, V. Perez-Solorzano, H. Gräbeldinger, H. Schweizer und F. Scholz
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18:00 |
HL 24.12 |
Dielectric Function of "Narrow" Band Gap InN — •Rüdiger Goldhahn, S. Shokhovets, V. Cimalla, O. Ambacher, J. Furthmüller, F. Bechstedt, H. Lu und W.J. Schaff
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18:15 |
HL 24.13 |
Laterales Wachstum von GaN/AlGaN auf photoelektrochemisch strukturiertem SiC — •U. Ahrend, N. Riedel, F. Hitzel, U. Rossow und A. Hanglei ter
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18:30 |
HL 24.14 |
Epitaxie und Charakterisierung von ELOG-GaN-Strukturen auf SiC-Substraten — •S. Miller, H.-J. Lugauer, A. Leber, G. Brüderl, A. Lell, V. Härle, N. Gmeinwieser, U. Schwarz, K. Engl und F. Habel
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HL 24.15 |
Lokalisierungseigenschaften und optische Verstärkung in kubischen InGaN/GaN Heterostrukturen — •Christoph Hums, Matthias Dworzak, Martin Strassburg, Axel Hoffmann, Shunfeng Li, Alexander Khartchenko, Donat J. As und Klaus Lischka
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