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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Spinabh
ängiger Transport I

HL 27.5: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 18:15–18:30, BEY/154

Gekoppelte Plasmon-LO-Phonon-Moden in Ga_1−xMn_xAs — •W. Limmer, M. Glunk, S. Mascheck, A. Köder, D. Klarer, S. Frank, W. Schoch, V. Avrutin, K. Thonke, R. Sauer und A. Waag — Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm

Bei der aktuellen Entwicklung einer Halbleiter-basierenden Spintronik-Technologie spielt der semimagnetische Halbleiter Ga_1−xMn_xAs eine wichtige Rolle. Wir haben mittels Mikro-Raman-Spektroskopie und Fern-Infrarot(FIR)-Reflexionsspektroskopie die vibronischen und elektronischen Eigenschaften von Ga_1−xMn_xAs-Schichten untersucht, die mit Hilfe von Niedrig-Temperatur-Molekularstrahlepitaxie auf GaAs(100)-Substraten gewachsen wurden. Die Raman- und FIR-Spektren sind stark geprägt vom Auftreten gekoppelter Moden aus LO-Phononen und Löcher-Plasmonen. Aus einer Linienformanalyse der Spektren lassen sich daher Werte für die Löcherdichte abschätzen, die als wichtiger Parameter in die Curie-Temperatur eingeht. Bei der Auswertung der Raman-Spektren müssen die Beiträge von LO-Phononen aus der Verarmungsrandzone und von symmetrieverbotenen TO-Phononen, bei der Auswertung der FIR-Spektren Mehrfachreflexionen in der Ga_1−xMn_xAs-Schicht berücksichtigt werden. Ein Ausheizen der Proben bei Temperaturen zwischen 250^oC und 500^oC resultiert in einer Abnahme der Löcherkonzentration mit steigender Ausheiztemperatur und Ausheizdauer.