Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 29: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung II

HL 29.6: Vortrag

Mittwoch, 26. März 2003, 15:45–16:00, BEY/118

Hochortsaufgelöste optische Spektroskopie an dünnen InGaN/ GaN-Schichten — •Simon Halm¹, Herbert Schömig¹, Gerd Bacher¹, Alfred Forchel¹, Victoria Pérez-Solórzano² und Ferdinand Scholz² — ¹Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — ²4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70569 Stuttgart

Seit der erfolgreichen Herstellung blauer Halbleiter-Laser auf Basis von InGaN/GaN hat dieses Materialsystem ein breites wissenschaftliches Interesse erlangt. Es hat sich gezeigt, dass die Ladungsträger im InGaN-Quantenfilm zumindest bei tiefen Temperaturen stark lokalisiert sind.

Wir präsentieren leistungs- und temperaturabhängige Mikro-Photo-lumineszenz-Messungen an dünnen (L_z=3nm) InGaN-Einzelquanten-filmen. Durch Aufbringen einer Al-Maske mit Nanoaperturen (Durchmesser bis <100nm) erreichen wir eine hohe Ortsselektivität. Für genügend kleine Aperturen brechen die inhomogen verbreiterten Emissionsspektren in einzelne, spektral scharfe Linien auf, welche wir als Rekombination von Exzitonen in einzelnen Lokalisierungszentren deuten. Mit steigender Temperatur zeigen diese Emissionslinien eine signifikante Blauverschiebung. Wir diskutieren eine temperaturabhängige Abschirmung interner Piezofelder als mögliche Ursache unserer experimentellen Beobachtungen.