HL 29: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung II
Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–16:15, BEY/118
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14:30 |
HL 29.1 |
EVIDENCE FOR A NEW DISLOCATION TYPE IN GaN. — •L. Lymperakis, J. Neugebauer, M. Albrecht, T. Remmele, and H.P. Strunk
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14:45 |
HL 29.2 |
Defect Spectroscopy of AlGaN/GaN Single Barrier Structures — •Martin Hermann, Barbara Baur, Martin Eickhoff und Martin Stutzmann
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15:00 |
HL 29.3 |
The Mn3+/2+ acceptor level in group III nitrides — •M. Gjukic, T. Graf, M. Buschbeck, M. S. Brandt, O. Ambacher, and M. Stutzmann
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15:15 |
HL 29.4 |
Optimierung von AlGaN/GaN Heterostrukturen bezüglich Ladungsträgerdichte und - beweglichkeit im 2d-Elektronengas — •U. Rossow, A.T. Winzer, R. Goldhahn, O. Ambacher, A. Link, M. Stutzmann, M. Greve und A. Hangl eiter
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15:30 |
HL 29.5 |
Defektreduktion in GaN-basierten Heterostrukturen durch SiN-Zwischenschichten — •Jens Dennemarck, Tim Böttcher, Roland Kröger, Akio Ueta, Claudia Roder und Detlef Hommel
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15:45 |
HL 29.6 |
Hochortsaufgelöste optische Spektroskopie an dünnen InGaN/ GaN-Schichten — •Simon Halm, Herbert Schömig, Gerd Bacher, Alfred Forchel, Victoria Pérez-Solórzano und Ferdinand Scholz
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16:00 |
HL 29.7 |
Phonons, band gap, and higher-energy interband transitions of hexagonal InGaN — •A. Kasic, M. Schubert, J. Off, F. Scholz, M. R. Correia, S. Pereira, Y. Saito, M. Kurouchi, and Y. Nanishi
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