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10:30 |
HL 2.1 |
Doping, Structure and Thermal Stability of nano-InP — •X.M. Li, Z. Guan, Th. Agne, H. Wolf und Th. Wichert
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10:45 |
HL 2.2 |
Spannungsrelaxation in LT-GaAs durch Agglomeration atomare Fehlstellen — •Torsten E.M. Staab, Risto M. Nieminen, Martina Luysberg, Jörg Gebauer und Thomas Frauenheim
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11:00 |
HL 2.3 |
Untersuchung der Segregation von In in InGaAs/GaAs Quantentrogstrukturen — •Manuel Melzer, Marco Schowalter, Andreas Rosenauer, Dagmar Gerthsen und Johann-Peter Reithmeier
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11:15 |
HL 2.4 |
Typ I nach Typ II Übergang in (Ga,In)(N,As)/Ga(N,As) Quantenschichten — •H. Grüning, P.J. Klar, W. Heimbrodt, G. Weiser, J. Koch, S. Nau und W. Stolz
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11:30 |
HL 2.5 |
In-situ RAS bei der p-Dotierung von MOCVD gewachsenem GaSb(100) — •Zadig Kollonitsch, Kristof Möller, Christoph Giesen, Michael Heuken, Frank Willig und Thomas Hannappel
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11:45 |
HL 2.6 |
Optische Untersuchungen an Stickstoff-implantiertem GaAs — •Steffen Sinning, Thomas Dekorsy und Manfred Helm
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12:00 |
HL 2.7 |
Anwendung von konvergenter Elektronenbeugung und Biegekonturkontrastanalyse zur Analyse von Kristallpolarität und Grenzflächen in III-V-Verbindungshalbleitern — •Tanja Trenkner, Christian Jäger, Erdmann Spiecker und Wolfgang Jäger
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12:15 |
HL 2.8 |
Recombination in the hetero-structure InP/SnO2 controlled by hot carrier dynamics. — •Matthias Neges, Klaus Schwarzburg, and Frank Willig
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12:30 |
HL 2.9 |
Kathodolumineszenz-Untersuchungen an implantiertem AlN — •Jan Zenneck, Ulrich Vetter, Carsten Ronning und Hans Hofsäss
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12:45 |
HL 2.10 |
Temperature dependence of the electron Landé g factor in (110) GaAs quantum wells — •Stefanie Döhrmann, Jörg Rudolph, Dieter Schuh, Werner Wegscheider, Daniel Hägele, and Michael Oestreich
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13:00 |
HL 2.11 |
MOVPE Growth of InN Layers and Spectroscopic Ellipsometry Characterization — •Massimo Drago, Torstein Schmidtling, Udo W. Pohl, and Wolfgang Richter
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13:15 |
HL 2.12 |
Schnelle, spektrale Ellipsometrie beim Wachstum von III/V Heterostrukturen und Quantenpunkten — •S. Weeke, A. Wirsig, F. Poser und W. Richter
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13:30 |
HL 2.13 |
Structural properties of (In)GaAsN — •Lutz Görgens, Peter Neumaier, Andreas Bergmaier, Günther Dollinger, and Reiner Krücken
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