Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Halbleiterlaser I

HL 3.7: Talk

Monday, March 24, 2003, 12:00–12:15, BEY/81

Astigmatismus von hochbrillanten InGaAs/(Al)GaAs-Ridge-Trapezlasern — •Marc Tibor Kelemen, Jürgen Weber und Michael Mikulla — Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastr. 72, D-79108 Freiburg

Hochleistungslaser mit hoher Strahlqualität gewinnen insbesondere in der direkten Materialbearbeitung, in der Spektroskopie und auch in der Telekommunikation zunehmend an Bedeutung. Im Moment bietet diese Strahlqualität bei optischen Leistungen von mehreren Watt nur der sogenannte Ridge-Trapezlaser. Ein Nachteil dieses Bauteils ist jedoch der große Astigmatismus, der zudem stromabhängig ist.

In dieser Arbeit wurde deshalb der Einfluss von Ladungsträgern und Temperatur auf den Brechungsindex und damit sowohl auf den Astigmatismus als auch die Strahlqualität von Ridge-Trapezlasern untersucht.

Dazu wurden InGaAs/(Al)GaAs-Ridge-Trapezlaser zwischen 940 nm und 1040 nm prozessiert. Die Gesamtlänge der Bauteile beträgt 2.5 mm, die Trapezlänge 2 mm. Mittels dieser Bauteile erhält man typischerweise eine nahezu beugungsbegrenzte Strahlqualität (M² ≤ 1.5) bis zu 3 W. Zur Bestimmung des Astigmatismus wurden Lage und Breite des korrigierten Fernfeldes in Abhängigkeit von Temperatur und Strom vermessen. Die Strahlqualität wurde über Nah- und Fernfelder und über M² charakterisiert. Die Ergebnisse wurden mit BPM-Simulationen verglichen.