Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Halbleiterlaser I

HL 3.8: Talk

Monday, March 24, 2003, 12:15–12:30, BEY/81

Vergleich von InGaAs/(AlGaAs) Quantenpunkt- und Quantenfilm Ridge-Trapez-Lasern — •J. Weber¹, M.T. Kelemen¹, S. Kallenbach¹, S. Deubert², J.P. Reithmaier², A. Forchel² und M. Mikulla¹ — ¹Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastraße 72, 79108 Freiburg — ²Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Hochleistungsdiodenlaser gewinnen insbesondere im Bereich der Spektroskopie, sowie in der direkten Materialbearbeitung und in der Medizintechnik zunehmend an Bedeutung. Für viele dieser Anwendungen wird neben einer hohen Ausgangsleistung im Bereich einiger Watt auch eine sehr gute Strahlqualität benötigt. Ein hier sehr erfolgreiches Konzept ist der Ridge-Trapez-Laser. Hinsichtlich einer weiteren Erhöhung der Ausgangsleistung bei gleichbleibend guter Strahlqualität sind insbesondere Trapezlaser mit Quantenpunkten von besonderem Interesse, da diese theoretisch einen von der Ladungsträgerdichte entkoppelten Brechungsindex besitzen, was die Ausbildung von Filamenten verringert und damit die Strahlqualität von Hochleistungsdiodenlasern nochmals deutlich verbessern würde. Verglichen wurden InGaAs/(AlGaAs) Quantenfilm- und Quantenpunktlaser bei 975 nm in Ridge-Trapez-Geometrie mit ansonsten identischer Schichtstruktur. Die Gesamtlänge dieser Bauteile beträgt 2500 µm und die Breite der Austrittsfacette 200 µm. Die Temperatur- und Stromabhängigkeit der Intensitätsverteilungen im Nah- und Fernfeld wurde ebenso wie der Einfluss auf die Beugungsmaßzahl M² untersucht.