Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 30: Photovoltaik
HL 30.7: Vortrag
Mittwoch, 26. März 2003, 16:00–16:15, BEY/81
Wachstum und Morphologie von epitaktischem Cu(Ga,In)S2 auf Si — •Marcel Müller, Heiner Metzner, Thomas Hahn, Janko Cieslak, Jens Eberhardt, Udo Reislöhner und Wolfgang Witthuhn — Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany
Der pseudoternäre Halbleiter Cu(In,Ga)S2 (CIGS) erlaubt das Wachstum von wide band-gap Schichten mit kontinuierlich variablen, direkten Bandlücken zwischen 1.5eV (CuInS2) bis 2.5eV (CuGaS2), die von besonderem Interesse für die Anwendung in photovoltaischen Bauelementen sind. Daneben bietet dieses Materialsystem die Möglichkeit durch Variation des In/Ga-Gehalts perfekt gitterangepasste Schichten auf Si-Substraten herzustellen und hat damit das Potential für versetzungsfreie und defektarme Heteroübergänge zwischen dem technologisch dominierenden Si und einem direkten Halbleiter.
In der vorliegenden Arbeit wurden CIGS-Schichten verschiedener Dicke im Bereich der perfekten Gitteranpassung zu Si mittels Molekularstrahlepitaxie auf S-terminierten Si(111)(4x4)-S Oberflächen abgeschieden und bezüglich ihres Wachstums und ihrer Morphologie über hochenergetische Elektronenbeugung (RHEED), Rutherford Rückstreuung (RBS) und Rasterkraftmikroskopie (AFM) charakterisiert. Die Nukleation dünner Schichten wurde beobachtet und die daraus resultierende Schichtmorphologie bis zu einer typischen Dicke von 1µm als Funktion der Zusammensetzung untersucht.