Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 31: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung
HL 31.12: Talk
Wednesday, March 26, 2003, 17:15–17:30, BEY/154
Wachstum und Charakterisierung von ZnO-Nanokristallen in SiO2 — •Stefano Virdis, Naigui Shang, Ulrich Vetter, Carsten Ronning und Hans Hofsäss — II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstrasse 7-9, 37073 Göttingen
In eine dielektrische Matrix eingebettete Halbleiter-Nanokristalle sind Quantenpunkte mit ausgeprägten grössen- und grenzflächenabhängigen optolektronischen Eigenschaften. Zinkoxid mit 3.37 eV Bandlücke ist wegen seiner Lumineszenz bis ins nahe UV, piezoelektrischem Verhalten, einer adsorbatabhängigen Oberflächenleitfähigkeit und guter n-Leitfähigkeit gut geeignet, um solche grenzflächen- und grössenabhängigen Phänomene zu untersuchen. Dazu wurden in SiO2-Schichten eingebettete ZnO Nanokristalle über Ionenimplantation und nachfolgendem Anlassen auf hohe Temperaturen synthetisiert. Mit Röntgenbeugung wurde die Struktur der Nanokristalle als Funktion von Anlasstemperatur und Implantationsdosis untersucht. Ab 600 ∘C werden ZnO Kristallite gebildet, die abhängig von der Implantationsdosis eine ausgeprägte grüne und blaue Lumineszenz zeigen. Nach Anlassen auf 900 ∘C wird ein Zinksilikat (Zn2SiO4) gebildet das ebenfalls interessante Lumineszenzeigenschaften besitzt. Ergebnisse zur Grössenverteilung der ZnO Nanokristalle und zum Lumineszenzverhalten werden diskutiert.