Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 31: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung
HL 31.5: Talk
Wednesday, March 26, 2003, 15:30–15:45, BEY/154
Quantenpunktkontakte mit zwei besetzten vertikalen Moden hergestellt durch AFM-Lithographie — •G. Apetrii1, G. Apetrii1, S.F. Fischer1, U Kunze1, D. Schuh2, G. Abstreiter2, D. Reuter3, A.D. Wieck3, S.F. Fischer1, U Kunze1, D. Schuh2, G. Abstreiter 2, D. Reuter3 und A.D. Wieck3 — 1Lehrstuhl für Werkstoffe und Nanoelektronik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum — 2Walter Schottky Institut, Technische Universität München — 3Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum
Quantenpunktkontakte (QPCs) mit geometrischen Breiten von 30 - 140 nm und großen 1D-Subbandabständen (>10 meV) wurden durch AFM-Lithographie und nasschemisches Ätzen hergestellt. Die verwendete GaAs/AlGaAs Heterostruktur enthält einen 30 nm breiten, von beiden Seiten modulationsdotierten Quantentopf (QW), in dem durch Schubnikov-de-Haas Messungen die Besetzung der ersten zwei 2D-Subbändern mit zunehmender Gatespannung nachgewiesen wurde. In der Leitwertquantisierung und den Steilheitskennlinien der QPCs sind Beiträge der zwei besetzten vertikalen Moden als zwei 1D-Subbandleitern zu erkennen. Sowohl durch Anlegen einer positiven Gatespannung während des Abkühlens (RT bis 4.2 K), als auch durch Anlegen einer Backgatespannung lassen sich die beiden Subbandleitern relativ zu einander verschieben. Die Steilheitskennlinien geben deutliche Hinweise auf eine unterschiedliche Ankopplung der beiden 1D-Subbandserien an die 2D-Reservoirs. Diese Effekte sollen auch in Strukturen mit zentraler Barriere im QW, also tunnelgekoppelten 1D-Systemen, untersucht werden.