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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 31.9: Vortrag

Mittwoch, 26. März 2003, 16:30–16:45, BEY/154

Strukturveränderung von InAs/GaAs-Quantenpunkten beim Überwachsen — •A. Lenz¹, R. Timm¹, S. K. Becker¹, T. Suzuki², Y. Temko², K. Jacobi², H. Eisele¹ und M. Dähne¹ — ¹TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin

Mit Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen (XSTM) wurden bedeckte InAs-Quantenpunkte in GaAs untersucht, die mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsen worden sind. Dabei konnten Form, Größe und Stöchiometrie der Quantenpunkte mit atomarer Auflösung bestimmt werden.

Ein Vergleich mit früheren Aufsicht-STM-Untersuchungen an unbedeckten Quantenpunkten [1] zeigt, wie durch das Überwachsen mit einer GaAs-Deckschicht die Struktur der Quantenpunkte verändert wurde: Während die unbedeckten Quantenpunkte eine pyramidale Form aufweisen, sind in der überwachsenen Schicht nur Pyramidenstümpfe mit ausgeprägten (001)-Oberflächen vorhanden. Zudem stehen die Seitenflächen der bedeckten Quantenpunkte in einem steileren Anstellwinkel zur Grundfläche als die in der unbedeckten Probe.

[1] J. Márquez, L. Geelhaar, K. Jacobi, Apl. Phys. Lett. 78, 2309 (2001)