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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Spinabh
ängiger Transport II

HL 32.9: Vortrag

Mittwoch, 26. März 2003, 16:30–16:45, POT/81

In-situ Messungen der Dotierung mit Mn, Si und Si bei Tieftemperaturwachstum von GaAs (001) in MBE — •Markus Pristovsek und Shiro Tsukamoto — National Institute for Materials Science, Nano-device Group, Sengen 1-2-1, Tsukuba-Shi, Ibaraki 305-0047, JAPAN

Unsere Untersuchungen zum Tieftemperaturwachstum von GaMnAs, GaAs:Sn und GaAs:Si haben zweierlei Ziele: Zum einen soll mittels Reflexionsanisotropie Spektroskopie (RAS) in-situ das Wachstum untersucht und eine Kontrolle der Dotierungskonszentration erreicht werden. Darüber hinaus ist eine reproduzierbare n-Dotierung während des Tieftemperaturwachstums nötig, um einen halbleitenden, bipolaren Johnson-Transitors [1] zu realisieren. Reproduzierbare höhere n-Dotierungen sind bei den niedrigen Wachstumstemperaturen in der MBE (200-2600.5em∘C) problematisch, da Si zur Selbstkompensation neigt. Bei höheren Temperaturen jedoch entmischen sich die GaMnAs Schichten spontan. Daher wurde Sn als alternativer n-Dotant für das Tieftemperaturwachstum untersucht.

[1] M. Johnson, APL 63 (1993) 1435.