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HL: Halbleiterphysik

HL 35: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I

HL 35.4: Vortrag

Mittwoch, 26. März 2003, 18:15–18:30, BEY/154

Autokorrelations-Spektroskopie von Exzitonen in GaInAs/GaAs-Einzel-Quantenfilmen — •U. Neuberth¹, G. von Freymann¹, M. Wegener¹, S. Nau² und W. Stolz² — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe (TH), 76128 Karlsruhe — ²Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften und Fachbereich Physik, Philipps-Universität Marburg, 35032 Marburg

Die Technik der Autokorrelationsspektroskopie erlaubt es [1], die Statistik der Energieniveaus von Exzitonen in rauhen Halbleiter-Einzelquantenfilmen auszumessen. Hierbei hilft die optische Nahfeldmikroskopie insofern, dass sie die Zahl der Einzellinien im Einzelspektrum stark reduziert. Diese Kombination wurde von uns bereits auf das CdSe/ZnSe und das GaAs/AlGaAs Materialsystem angewendet. Hier präsentieren wir Experimente an einzelnen Ga_0.89In_0.11As/GaAs Quantenfilmen. Zwei Aspekte machen dieses System interessant: i) Die mittlere Linienbreite der Photolumineszenz liegt im Bereich von 2  meV, das Unordungspotential hat also eine Tiefe, die deutlich geringer als die Exzitonbindungsenergie ist. ii) Die vergrabene Grenzfläche GaInAs/GaAs kann mittels AFM sichtbar gemacht werden [2], sodass unabhängige Informationen zum Unordnungspotential vorliegen. Bei Temperaturen von T=10 K finden wir ein Maximum in der Autokorrelationsfunktion um 1.8 meV Energiedifferenz, das wir quantisierten Exzitonzuständen zuordnen.

[1] G. von Freymann et al., Phys. Rev. B 65, 205327 (2002)

[2] S. Nau et al., Springer Proceedings in Physics 87, 435 (2001)