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HL: Halbleiterphysik

HL 38: II-VI Halbleiter II

HL 38.2: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 11:15–11:30, BEY/118

Wachstum und Charakterisierung von grün-emittierenden monolithischen II-VI VCSELn — •Carsten Kruse, Gabriela Alexe, Roland Kröger, Detlef Hommel, Sven Ulrich, Peter Michler und Jürgen Gutowski — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee NW1, 28359 Bremen

Die Verwendung von ZnCdSSe-Quantenfilmen in II-VI-basierten Kantenemittern ermöglicht Laseremission im Spektralbereich von 500 - 560 nm. Oberflächenemittierende Vertikallaserdioden (engl. Vertical Cavity Surface Emitting Laser) für diesen Wellenlängenbereich konnten dagegen bisher nicht realisiert werden.

Zu diesem Zweck wurden mittels Molekularstrahl-Epitaxie hochreflektierende n-und p-dotierte Bragg-Reflektoren (Reflektivität > 99%) gewachsen, welche aus Zn(S)Se (hoher Brechungsindex) und Zn(Cd)Se/MgS-Übergittern (kleiner Brechungsindex) aufgebaut sind. Die Variation der Übergitterperiode bzw. des S- und Cd-Gehaltes in den ternären Schichten ermöglicht gitterangepasste und vollverspannte Strukturen bezüglich des GaAs(001)-Substrates, in denen die Bragg-Spiegelpaare einen hohen Brechungsindex-Kontrast von über Δn=0.6 aufweisen, wie der Vergleich von Reflektivitätsmessungen mit Simulationen zeigt. Durch die Verwendung dieser Materialkombination sollte sich der beste bisher erreichte Gütewert von Q=100 [1] eines Mikroresonators mit einer vergleichbaren Anzahl von Spiegelpaaren deutlich verbessern lassen. Die Emission von ZnCdSSe Quantenfilmen in solchen Mikroresonatoren in Abhängigkeit der Anregungsdichte wird diskutiert.

[1] C. Kruse et al, Mat. Res. Soc. Proc. Vol. 722 (2002)