Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: II-VI Halbleiter II

HL 38.3: Talk

Thursday, March 27, 2003, 11:30–11:45, BEY/118

Schottky Kontakte auf dünnen ZnO PLD Filmen und ZnO Einkristallen — •Holger von Wenckstern, Holger von Wenckstern, Gisela Biehne, Michael Lorenz, Rainer Pickenhain, Marius Grundmann, Gisela Biehne, Michael Lorenz, Rainer Pickenhain und Marius Grundmann — Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften

Durch Aufdampfen von Pd, Ag oder Ni wurden Schottky Kontakte (SK) auf ZnO-Einkristallen (Eagle-Picher Inc.) realisiert. Die Eigenschaften (Barrierenhöhe Φ_B, Idealitätsfaktor η) wurden in Abhängigkeit vom verwendeten Metall und in Abhängigkeit von der Oberflächenterminierung (Sauerstoff- bzw. Zinkterminierung) der c-orientierten Einkristalle mit Strom-Spannungs- (I-V) bzw. Kapazitäts-Spannungsmessungen (C-V) untersucht. Die Messungen ergaben keinen Unterschied für die beiden Terminierungen. Die höchste bestimmte Barrierenhöhe hat Pd (∼ 730 meV), die Barriernhöhen von Ag, und Ni lagen um ∼ 600 meV. Die Idealitätsfaktoren von Schottky Punktkontakten (SPK) auf Einkristallen liegen um 1.8. Des weiteren wurden SPK auf PLD-Dünnfilmen untersucht. Es wurden die Barriernhöhen für Ag und Pd auf (0001)- bzw. (1120)-orientierten PLD-Dünnfilmen bestimmmt. Außerdem wurden interdigitale MSM-Photodetektoren auf Einkristallen realisiert und charakterisiert.