Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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11:00	HL 40.1	Interface Characterization of the High-k Gate Dielectric Pr₂O₃ — •Hans-Joachim Müssig, Jarek Dabrowski, and Dieter Schmeisser

11:15	HL 40.2	XPS Study of Hydrosilylated Crystalline and Amorphous Silicon Surfaces — •Andrea Lehner, Florian Kohl, Georg Steinhoff, Martin Eickhoff, Martin S. Brandt, and Martin Stutzmann

11:30	HL 40.3	Role of Solvent in Adsorbtion at Semiconductor/Electrolyte Interface — •Mikhail Lebedev, Thomas Mayer, and Wolfram Jaegermann

11:45	HL 40.4	Ladungsrelaxation in MOS-Strukturen mit Ge Nanoclustern — •Reinhard Beyer, Volkhard Beyer, Johannes von Borany und Jörg Weber

12:00	HL 40.5	Thermodesorptionsexperimente an Silizium-Oxynitriden — •Markus Linder, Alexandra Ludsteck, Tanja Stimpel, Torsten Sulima, Hermann Baumgärtner und Ignaz Eisele

12:15	HL 40.6	Querschnitts-Rastertunnelspektroskopie an Schottky-Kontakten — •T. C. G. Reusch, M. Wenderoth, L. Winking, J. Müller, N. Quaas und R. G. Ulbrich

12:30	HL 40.7	Die Bedeutung von Wasserstoff für die Ausbildung der InP(001)(2×1)(2×2) Oberflächen in der MOVPE — •P. Vogt, P.H. Hahn, W.-G. Schmidt, F. Bechstedt, W. Richter und N. Esser

12:45	HL 40.8	Nukleationsmechanismen auf Oberflächen von III-V Halbleitern — •Frank Grosse, Mark F. Gyure, William Barvosa-Carter und Jennifer J. Zinck

13:00	HL 40.9	In-situ Ramanspektroskopie beim Wachstum von III-V Halbleitern in der MOVPE — •Eugen Speiser, Karsten Fleischer, Torsten Schmidtling, Norbert Esser und Wolfgang Richter