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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 40.5: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 12:00–12:15, BEY/154

Thermodesorptionsexperimente an Silizium-Oxynitriden — •Markus Linder, Alexandra Ludsteck, Tanja Stimpel, Torsten Sulima, Hermann Baumgärtner und Ignaz Eisele — Institut für Physik, Fakultät für Elektrotechnik, Universität der Bundeswehr München, 85577 Neubiberg

Auf der Suche nach alternativen Dielektrika für die Halbleitertechnologie stöst man unter anderem auf Silizium-Oxynitride. Die hier untersuchten Oxynitride wurden mit einem Remote-Plasma-Verfahren hergestellt. Die Oxynitride wurden in unserer Studie mit Auger-Elektronenspektroskopie und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie auf ihre Zusammensetzung hin untersucht. STM-Untersuchungen gaben Aufschlus über die Rauhigkeit der jeweiligen Oberflächen. Im Anschlus an die thermische Desorption der Schichten wurden sie erneut analysiert und die erhaltenen Ergebnisse sowohl zu den Ergebnissen vor der Thermodesorption als auch untereinander verglichen.