Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Grenz- und Oberfl
ächen
HL 40.7: Vortrag
Donnerstag, 27. März 2003, 12:30–12:45, BEY/154
Die Bedeutung von Wasserstoff für die Ausbildung der
InP(001)(2×1)(2×2) Oberflächen in der MOVPE — •P. Vogt1, P.H. Hahn2, W.-G. Schmidt2, F. Bechstedt2, W. Richter1 und N. Esser1 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin — 2Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena
In den letzten Jahren wurden die phosphorreichen InP(001)(2×1)(2×2) Oberflächen mit Rastertunnelmikroskopie (STM), Photoemission (SXPS), Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS) und Elektronenbeugung (LEED, RHEED) untersucht. Dabei konnte gezeigt werden, dass zwei verschiedene InP(001)(2×1)/(2×2) Rekonstruktionen existieren. Wir zeigen hier, dass diese Oberflächen nicht mit Strukturmodellen zu erklären sind, welche auf einer reinen Phosphorterminierung beruhen. Es ist vielmehr so, dass sich diese Oberflächen nur durch die Anwesenheit von zusätzlich gebundenem Wasserstoff erklären lassen. Die so erhaltenen Strukturmodelle erklären nicht nur sämtliche experimentellen Ergebnisse, sondern werden auch durch theoretische Rechnungen bestätigt. Der postulierte Wasserstoff ließ sich zwar nicht direkt nachweisen, doch durch den Vergleich der InP(001) Oberflächen unter verschiedenen Wachstumsbedingungen (MOVPE, MBE, MBE mit zusätzlichem Wasserstoff) wird gezeigt, dass ohne die Anwesenheit von Wasserstoff die Formation dieser Oberflächen nicht möglich ist. Dieses Ergebnis kann auch die in der Literatur diskutierten Unterschiede zwischen den verschiedenen Epitaxieverfahren im Falle von InP(001) erklären.