Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 40.8: Talk

Thursday, March 27, 2003, 12:45–13:00, BEY/154

Nukleationsmechanismen auf Oberflächen von III-V Halbleitern — •Frank Grosse¹, Mark F. Gyure², William Barvosa-Carter² und Jennifer J. Zinck² — ¹Humboldt-Universität, Berlin — ²HRL Laboratories, Malibu (USA)

Am Beispiel von InAs(001) Homoepitaxie werden Wachstumsmechanismen auf Oberflächen von III-V Halbleitern untersucht, insbesondere die Abhängigkeit der Inseldichte vom As-Fluss [1]. Experimentell zeigen STM Aufnahmen die Verringerung der Inseldichte mit wachsendem As-Fluss. In Kombination mit Dichtefunktionalrechnung und kinetischen Monte-Carlo Simulationen konnten die dafür verantwortlichen Wachstumsmechanismen identifiziert werden. Wachsender As-Fluss führt zur Verringerung der effektiven In-Adatomdichte, die wiederum die Nukleationsdichte bestimmt. Dieser Effekt kann nur beschrieben werden, wenn die Rekonstruktion der Oberfläche explizit in den Simulationen beschrieben wird [2]. [1] F. Grosse etal. Phys. Rev. Lett. 89, 116102 (2002). [2] F. Grosse, M. Gyure Phys. Rev. B 66, 075320 (2002).