Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 40.9: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 13:00–13:15, BEY/154

In-situ Ramanspektroskopie beim Wachstum von III-V Halbleitern in der MOVPE — •Eugen Speiser, Karsten Fleischer, Torsten Schmidtling, Norbert Esser und Wolfgang Richter — Institut fuer Festkoerperphysik PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Mit Ramanspektroskopie kann z.B. die Zusammensetzung von ternären und quaternären Halbleitern, die Temperatur der Wachstumsoberfläche und auch die Beschaffenheit der gewachsenen Schichten und Oberflächen bestimmt werden. Die Anpassung des Ramanspektrometers an die MOVPE-Anlage erfolgte mittels Glasfasern, um die räumliche Trennung der Mess- und Wachstumsapparatur zu überwinden. Die Fähigkeit, GaAs Oberflächen bei hohen Temperaturen in der MOVPE Anlage (bis 1100 K) zu stabilisieren, eröffnet die Möglichkeit, bisherige Ergebnisse der Hochtemperatur Ramanspektroskopie zu überprüfen und ihren Temperaturbereich wesentlich zu erweitern. Es werden erste Hochtemperatur Ramanspektren von einer arsenstabilisierten GaAs Oberfläche vorgestellt, die einen Rückschluß auf die Oberflächenstruktur ermöglichen. Der Vergleich von arsenreichen und galliumreichen Oberflächen zeigt, daß eine direkte Bestimmung der Oberflächenterminierung aus dem Verhältnis der TO- und LO-Phonon-moden möglich ist. Ebenso ist durch die Auswertung der Plasmonenlinien eine Dotierungsbestimmung möglich. Dies wird am Beispiel des Wachstums von undotiertem GaAs auf dotiertem GaAs-Substrat demonstriert. Zusätzlich werden vergleichende Messungen an InAs durchgefürt.