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HL: Halbleiterphysik

HL 41: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften II

HL 41.1: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 11:00–11:15, POT/81

Elektronische Anregungen in GaAs-Quantendrähten mit Sidegates — •A. F. Dethlefsen, G. Chilla, C. Schüller, Ch. Heyn und D. Heitmann — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

Mit Hilfe der Raman-Spektroskopie werden von uns kollektive elektronische Anregungen in niederdimensionalen Elektronensystemen untersucht. Hierbei handelt es sich um mittels holographischer Lithographie definierte tiefmesageätzte GaAs-Quantendrähte um 100 nm. Durch Metallisierung der strukturierten Oberflächen und Definition eines Rückkontaktes zum Elektronensystem läßt sich dieses durch Anlegen einer Spannung manipulieren. Wir haben sowohl die Spannnungs- als auch die Wellenvektorabhängigkeit der Intra- und Intersubband-Anregungen untersucht. Auf der Grundlage von Polrisationsauswahlregeln kann zwischen Spindichte- und Ladungsdichteanregungen unterschieden werden. Desweiteren existieren Paritätsauswahlregeln für unterschiedliche Streugeometrien. Durch die Metallisierung der Probenoberfläche werden diese z.T. aufgehoben; dies erlaubt eine gleichzeitige Untersuchung von Intra- und Intersubbandanregungen gerader und ungerader Parität bei Impulsübertrag in Drahtrichtung.