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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften III

HL 44.3: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 15:00–15:15, BEY/118

Elektronische Struktur selbstorganisierter InP/GaP-Quantenpunkte unter hohem hydrostatischem Druck — •Christian Kristukat¹, A.R. Goñi¹, F. Hatami², S. Dresler², W.T. Masselink² und C. Thomsen¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Dept. of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin, Invalidenstr. 110, 10115 Berlin

Die elektronische Struktur selbstorganisierter InP/GaP-Quantenpunkte (QP) wurde mittels Photolumineszenzmessungen (PL) als Funktion des hydrostatischen Drucks bis zu 8 GPa, der Temperatur und der Anregegungsleistung untersucht. Bei Normaldruck dominieren direkte optisch Rekombinationsprozesse zwischen den niedrigsten in den QP gebundenen Elektron- und Lochzuständen am Γ-Punkt der Brillouin-Zone. Mit steigendem Druck verschiebt sich der Γ-Punkt des Leitungsbandes zu höheren Energien, während der X-Punkt in Energie abnimmt. Bei etwa 0,15 GPa tritt der Wechsel zwischen direkter und indirekter Rekombination auf. Dies äußert sich in einem 20-fachen Intensitätsverlust der PL und in einer anschliessenden leichten Rotverschiebung des PL Maximums mit dem Druck. Die Energie der wetting layer (WL) Lumineszenz weist ebenfalls einen negativen aber größeren Druckkoeffizienten auf und erfolgt somit ebenfalls aus X-Punkt Zuständen. Aus dem Grund gleichen sich bei ca. 1,2 GPa die Energien der X-Bänder in QP und WL an und ein Übergang von Heterostrukturtyp-I zu Typ-II findet statt. Aus diesen Daten lässt sich unter Berücksichtigung der Aktivierungsenergie der wetting layer Emission einen Valenzband Offset von Δ E = (300± 30) meV ermitteln.