Dresden 2003 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 49: Poster II
HL 49.11: Poster
Thursday, March 27, 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2
Magnetfeldinduzierter photogalvanischer Effekt in III/V-Quantentrögen — •S.D. Ganichev1, V.V. Bel’kov2, M. Sollinger1, Petra Schneider1, S.A. Tarasenko2, E.L. Ivchenko2 und W. Prettl1 — 1Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — 2A. F. Ioffe Physico-Technical Institute, RAS, St. Petersburg, 194021, Russia
In (001)-orientierten n-InAs und GaAs-Quantentrögen wurde ein durch ein äußeres magnetisches Feld induzierter photogalvanischer Effekt beobachtet. Unter linear polarisierter IR- oder FIR-Bestrahlung senkrecht zum Quantentrog entsteht ein elektrischer Strom, sobald man ein magnetisches Feld senkrecht zum Lichtstrahl und parallel zur Ebene des Quantentrogs anlegt. Der Strom fließt in Schichtebene senkrecht zum magnetischen Feld. Dies steht im Gegensatz zum Spingalvanischen Effekt1, bei dem, durch zirkular polarisierte Strahlung verursacht, ein Strom parallel zum magnetischen Feld fliesst. induziert direkte optische Übergänge. Der beobachtete Effekt wird durch k-lineare Spin-Bahn-Aufspaltung und der Verschiebung des Elektronen-Energiespektrums in einem magnetischen Feld verursacht.
[1] S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, V.V. Bel’kov, S.A. Tarasenko, M. Sollinger, D. Weiss, W. Wegscheider and W. Prettl, Nature (London) 417, 153 (2002).