Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 49: Poster II

HL 49.13: Poster

Thursday, March 27, 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2

Gradient in Ladungsträgerdichte und Curie Temperatur in ferromagnetischen GaMnAs Schichten — •S. Frank¹, A. Koeder¹, W. Schoch¹, V. Avrutin¹, W. Limmer¹, K. Thonke¹, R. Sauer¹, M. Krieger², K. Zuern², P. Ziemann², S. Brotzmann³, H. Bracht³ und A. Waag¹ — ¹Abt. Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm — ²Abt. Festkörperphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm — ³Institut für Materialphysik, Universität Münster Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster

In unserem Beitrag möchten wir die magnetischen und elektronischen Eigenschaften von MBE gewachsenen GaMnAs Schichten diskutieren.
Ladungsträgerdichte und Mn Konzentration sind in dem semimagnetischen Halbleiter GaMnAs die Parameter, welche die Curietemperatur entscheidend beeinflussen: T_C ≈ x· p^1/3.
Ein ausgeprägter vertikaler Gradient in der Ladungsträgerdichte innerhalb einer Schicht wurde mittels ECV bzw. Raman Messungen nachgewiesen, wohingegen durch HRXRD Messungen ein Gradient in der Mn Konzentration ausgeschlossen werden konnte. Durch Squid Messungen an einer zu unterschiedlichen Tiefen geätzten GaMnAs- Schicht wurde dabei eine Abnahme der Curietemperatur von der Oberfläche zur GaMnAs/GaAs Grenzschicht festgestellt. Diese Änderung der Curietemperatur innerhalb einer GaMnAs Schicht kann auch die allgemein beobachtete Abweichung der Form der Magnetisierungskurven vom eigentlich zu erwartenden Curie-Weiss-Verhalten in diesem Materialsystem erklären. Detaillierte Anpassungen der Magnetisierungskurven werden präsentiert.