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HL: Halbleiterphysik

HL 49: Poster II

HL 49.16: Poster

Donnerstag, 27. März 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2

Schwache Lokalisierung in zweidimensionalen InAs Elektronensystemen — •Christoph de Beer, Christopher Schierholz, Guido Meier, Toru Matsuyama und Ulrich Merkt — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstrasse 11, 20355 Hamburg

Wir zeigen Messungen des Magnetowiderstands von zweidimensionalen Elektronensystemen (2DES) in InAs bei hohen und niedrigen Magnetfeldern und in Abhängigkeit einer Gatespannung. Dazu haben wir Feldeffekt-Transistoren in Corbino Geometrie auf p-Typ InAs-Einkristallen präpariert, die ein 2DES an der Oberfläche aufweisen. In hohen Magnetfeldern treten Shubnikov-de Haas Oszillationen mit Schwebungsmustern auf, aus denen wir die Stärke der Spin-Bahn Wechselwirkung bestimmen. Bei niedrigen Feldern treten schwache Lokalisierung und Antilokalisierung auf, aus denen die elastische, die inelastische und die Spin-Bahn Streuzeit des 2DES berechnet werden können. Dies ist für die Spin-Elektronik besonders interessant, da hier die Verhältnisse zwischen den Streuzeiten und die Beeinflussung der Spin-Bahn Wechselwirkung durch äußere Parameter von entscheidender Bedeutung sind. Wir analysieren unsere Messdaten nach dem Modell von Hikami, Larkin und Nagaoka [1]. Als nächsten Schritt werden wir Messungen an InAs Heterostrukturen mit Front- und Backgate durchführen. Hierdurch soll eine Beeinflussung des Bandverlaufs ohne Veränderung der Ladungsträgerdichte erreicht werden.

[1] C. Schierholz, R. Kürsten, T. Matsuyama, G. Meier, and U. Merkt, Phys. Stat. Sol. (b) 233, 436 (2002).