Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 49: Poster II

HL 49.18: Poster

Thursday, March 27, 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2

Implantation magnetischer Ionen in GaAs/ Al_xGa_1−xAs Heterostrukturen — •Sinan Uenluebayir, Sinan Uenluebayir, Alexander Melnikov, Dirk Reuter, Andreas D. Wieck, Alexander Mel nikov, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum D-44780 Bochum

Wir untersuchen den Einfluss magnetischer Ionen auf die elektrischen Transporteigenschaften eines 2-dimensionalen Elektronengases (2DEG). Zur Realisierung des 2DEG wird eine selektiv dotierte GaAs/Al_xGa_1−xAs Heterostruktur verwendet. Verschiedene Ionensorten (Mn, Dy, Co) mit hohem magnetischen Moment sowie als Referenz Gallium wurden mit der Technik der fokussierten Ionenimplantation in die Heterostruktur implantiert. Es wurden Dosen von 1 × 10⁹ cm⁻² bis 1 × 10¹³ cm⁻² verwendet, wobei die Ionenenergie zwischen 100 und 200 keV lag. Zur Beseitigung der Implantationsschäden wurde ein schneller thermischer Ausheilschritt (750 ^∘C für 30 s) durchgeführt. Bei den temperaturabhängigen Transportmessungen wurde ein Minimum des Widerstandes bei 40 K bis 80 K beobachtet. Dieses Verhalten deutet auf das Auftreten des Kondo-Effektes hin.