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HL: Halbleiterphysik

HL 49: Poster II

HL 49.24: Poster

Donnerstag, 27. März 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2

Bruchkontakt-Tunnelspektroskopie an dotierten Halbleitern — •Barbara Sandow¹, Olaf Bleibaum², Kurt Gloos³ und Walter Schirmacher⁴ — ¹Institut für Experimentalphysik, Freie Universität,, Arnimallee14, D-14195 Berlin — ²Department of Physics and Materials Science Institute, University of Oregon, Eugene, Oregon 97403, USA — ³Nano Science Center, Niels Bohr Institute, Universitetsparken 5, DK-2100 Copenhagen, Denmark — ⁴-Department E13, Technische Universität München, James Frank-Strasse 1, D-85747 Garching

Tunnelspektroskopie ist eine der empfindlichsten Messmethoden, um die elektronische Zustandsdichte von Festkörpern auszumessen. Wir haben die Technik mechanisch kontrollierter Bruchkontakte benutzt, um n-dotiertes Ge zu untersuchen. Dabei wird die Probe an einer wohldefinierten Stelle gebrochen und der Tunnelstrom quer zum Bruchkontakt gemessen. Der Transport in den verwendeten halbleitenden Proben findet zwischen lokalisierten Zuständen statt. Daher ist die Auswertung und Interpretation der Tunnelspektren wesentlich komplizierter als in Metallen. Wir haben daraufhin eine neue, auf den Fall des Hopping-Transports in dotierten Halbleitern zugeschnittene Theorie der Tunnelspektroskopie an solchen Bruchkontakten entwickelt. Mit Hilfe dieser Theorie versuchen wir die gemessenen Spektren zu analysieren.