Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 49: Poster II

HL 49.43: Poster

Thursday, March 27, 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2

Struktur der Grenzfläche zwischen amorphem Germanium und kristallinem Silizium — •Karsten Thiel¹, Nikolai Borgardt², Boris Plikat³, Tore Niermann¹ und Michael Seibt¹ — ¹IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen und Sonderforschungsbereich 602, Bunsenstr. 13-15, D-37073 Göttingen, Deutschland — ²Moscow Institute of Electronic Technologie, 124498 Moscow, Russland — ³Infinion Technologies, Regensburg, Deutschland

Der strukturelle Übergang zwischen amorphen und kristallinen Materialien wird auf der Basis der hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskopie mittels einer neuen Methode, die die Mittelung der Abbildungen entlang der Grenzfläche beinhaltet, am System a-Ge/c-Si untersucht[1]. Diese gemittelten Abbildungen können mit konventioneller Multi-Slice-Rechnung unter Zuhilfenahme einer zwei-dimensionalen Verteilungsfunktion, die auf der amorphen Seite durch die mittlere atomare Dichte an der Grenze und auf der kristallinen Seite durch die bekannten Positionen der Atome beschrieben wird, simuliert werden.

Ein unterstützender Ansatz wird durch die Rekonstruktion der Austrittswellenfunktion der Elektronen unterhalb der Probe im Elektronenmikroskop verfolgt[2]. Für das untersuchte System konnte eine gute Übereinstimmung zwischen der Annahme einer 1.4nm weitreichenden Übergangsschicht für die 2D-Verteilungsfunktion und der rekonstruierten Elektronenwelle gefunden werden.

[1] N.I. Borgardt et al., Ultramicroscopy 90 (2002), 241.

[2] A. Thust et al., Ultramicroscopy 64 (1996), 211.