Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 49: Poster II

HL 49.44: Poster

Donnerstag, 27. März 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2

Oberflächenanalyse von Gruppe II-Telluriden mittels Reflexions Anisotropie Spektroskopie — •J.W. Wagner¹, L. Hansen¹, C. Becker¹, J. Geurts¹, V. Wagner², M. Wahl³, T. Herrmann³, P. Vogt³, N. Esser³ und W. Richter³ — ¹Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Experimentelle Physik III, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²School of Engineering and Science, International University of Bremen — ³Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik

Gruppe II-Telluride sind für opto-elektronische Anwendungen sehr interessant, weil sie mit ihrer Energielücke den Bereich vom Ferninfraroten (FIR) (HgCdTe) bis hin zum Ultravioletten (UV) (BeTe) abdecken. Für die Herstellung hochwertiger Heterostrukturen sind Oberflächenqualität und Rekonstruktionen von wesentlicher Bedeutung. Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS) bietet hierzu eine extrem schnelle Analysemethode und erlaubt in-situ monitoring von Veränderungen dieser Oberflächen (OF). Wir präsentieren RAS-Messungen im Energiebereich von 0,75 - 6,5 eV an folgenden OF: Te-reich (2x1) BeTe(100), Te-reich (2x1) CdTe(100), Te-reich (2x1) MnTe(100) und Hg-reich c(2x2) HgTe(100). Beim BeTe lässt sich ein temperatur-induzierter Übergang von der (2x1) in die (3x1) OF-Rekonstruktion beobachten. Zusätzlich lässt sich als Vorstufe die Wiederherstellung der reinen OF beim Entfernen einer Se/Te Schutzschicht analysieren.