Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 49: Poster II
HL 49.48: Poster
Thursday, March 27, 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2
Temperaturabhängige Spektroskopie an GaInNAs/GaAs Quantentrogstrukturen und Bestimmung der optischen Verstärkung — •J. Kvietkova1, A. Grau1, K.C. Agarwal1, M. Hetterich1, A.Yu. Egorov2, H. Riechert2 und P. Gilet3 — 1Institut für Angewandte Physik und Centrum für Funktionelle Nanostrukturen (CFN), Universität Karlsruhe, D-76131 Karlsruhe — 2Infineon Technologies, D-81730 München — 3LETI / CEA-G-DOPT, 38054 Grenoble, France
Das Materialsystem GaInNAs/GaAs ist aufgrund seiner Eigenschaften, insbesondere im Hinblick auf die Realisierung von Laserdioden für optische Kommunikationssysteme im nahen Infrarot, von großer Bedeutung.
Mittels Photolumineszenz (PL) und photomodulierter Reflexion (PR) untersuchen wir die Temperaturabhängigkeit der elektronischen Übergänge in GaInNAs/GaAs - Quantentrogstrukturen (MQWs) mit verschiedenen Kompositionen und Trogbreiten. Hierbei zeigt die energetische Lage des PL - Emissionsmaximums mit steigender Temperatur einen S - förmigen Verlauf, der sich auf die starke Lokalisierung der Ladungsträger durch die Anwesenheit von Stickstoff im Quantentrog zurückführen lässt.
Weiterhin wurden auch die optische Verstärkung in diesen Strukturen mit Hilfe der variablen Strichlängenmethode sowie optisch gepumptes Lasing untersucht. Die ermittelten Werte der optischen Verstärkung liegen typischerweise um 30 cm−1.