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HL: Halbleiterphysik

HL 49: Poster II

HL 49.62: Poster

Donnerstag, 27. März 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2

Elektronische Ramanspektroskopie an selbstorganisiert gewachsenen InAs-Quantenpunkten mit variabler Elektronenzahl — •Thomas Brocke, Maik-Thomas Bootsmann, Christian Schüller, Christian Heyn, Wolfgang Hansen und Detlef Heitmann — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg

Im Stranski-Krastanov-Verfahren selbstorganisiert gewachsene InAs-Quantenpunkte bilden ein ideales Modellsystem für künstliche Atome mit wenigen Elektronen. Die InAs-Quantenpunkte sind für die hier vorgestellten Experimente in Dioden mit einem Rückkontakt aus hoch dotiertem GaAs und einer metallischen Gateelektrode eingebettet. Mit einer Spannung zwischen Rückkontakt und Gate wird die Elektronenbesetzung der Quantenpunkte gesteuert.

Mit Hilfe der Ramanspektroskopie konnten wir die elektronischen Anregungen eines solchen Systems für verschiedene Gatespannungen untersuchen. Zur Bestimmung der jeweiligen Elektronenanzahl wurden unter weitgehend identischen Bedingungen Kapazitätsmessungen durchgeführt. In den Ramanspektren wurden deutliche Abweichungen vom Einteilchenbild gefunden, welche sich durch Berücksichtigung der Coulombwechselwirkung zwischen den Teilchen erklären lassen.

Dieses Projekt wird im Rahmen des Sonderforschungsbereiches 508 „Quantenmaterialien“ von der DFG gefördert.