Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 49: Poster II
HL 49.85: Poster
Thursday, March 27, 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2
Eigenschaften von C-Delta-Dotierschichten in GaAs auf der atomaren Skala — •L. Winking1, T. C. G. Reusch1, M. Wenderoth1, R. G. Ulbrich1, S. Malzer2 und G. Döhler2 — 1IV. Phys. Inst. der Univ. Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — 2Inst. für Technische Physik I, Univ. Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen
Wir haben C-Akzeptoren mit Hilfe von Querschnitts-Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie in kontinuierlich und delta-dotiertem GaAs identifiziert und charakterisiert. Die Signatur des einzelnen Akzeptors in spannungsabhängigen Topographie-Messungen konnte durch das Zusammenspiel von spitzeninduzierter Bandverbiegung und elektrostatischem Potential des Akzeptors erklärt werden. Des weiteren zeigen die delta-dotierten Schichten eine sehr scharfe Verteilung der Akzeptoren längs der Wachstumsrichtung, was bei Be und Si nicht beobachtet wurde [1][2]. In der ortsaufgelösten Spektroskopie erkennen wir bei zunehmender Akzeptordichte einen Übergang von einzelnen Akzeptor-Niveaus in der Bandlücke zu einem metallischen Band.
Dieses Projekt wurde von der DFG im Rahmen des SFB 602 (TP A7) gefördert.
[1] M. B. Johnson et al., Phys. Rev. Lett. 75, 1606(1995)
[2] B. Grandidier et al., Appl. Phys. Lett. 72, 2454(1998)