Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 53: Heterostrukturen

HL 53.1: Vortrag

Freitag, 28. März 2003, 11:45–12:00, BEY/118

Beschreibung der elektronischen Zustände in GaInNAs-basierten Quantentrogstrukturen im Rahmen des empirischen Band-Anticrossing-Modells — •M. Hetterich¹, A. Grau¹, K.C. Agarwal¹, J. Kvietkova¹, A.Yu. Egorov², H. Riechert² und P. Gilet³ — ¹Institut für Angewandte Physik und Centrum für Funktionelle Nanostrukturen (CFN), Universität Karlsruhe, D-76131 Karlsruhe — ²Infineon Technologies, D-81730 München — ³LETI/CEA-G-DOPT, 38054 Grenoble, France

GaInNAs ist ein relativ neues III-V-Halbleiter-Materialsystem, das in den letzten Jahren intensiv untersucht wird, insbesondere im Hinblick auf die Realisierung von Infrarot-Laserdioden für Telekom-Anwendungen.

Mittels photomodulierter Reflexion (PR) und Photolumineszenz (PL) untersuchen wir die optischen Übergänge in GaInNAs/GaAs-Quantentrogstrukturen (MQWs) mit verschiedenem Stickstoff- und Indiumgehalt als Funktion der Temperatur (5-300 K). Zur theoretischen Modellierung der Messergebnisse erweist sich ein empirischer Band-Anticrossing-Hamiltonian als gut geeignet. Durch Anpassung an die experimentell beobachteten Übergangsenergien und die gemessene Temperaturabhängigkeit der effektiven Bandlücke können die Parameter des Hamiltonians ermittelt werden. Dabei finden wir auch Hinweise, dass in getemperten GaInNAs/GaAs-MQWs die Stickstoff-Atome bevorzugt von Indium-Atomen umgeben werden, in Übereinstimmung mit den Ergebnissen anderer Gruppen.