Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 53: Heterostrukturen

HL 53.5: Talk

Friday, March 28, 2003, 12:45–13:00, BEY/118

Lateral strukturierte zweidimensionale Elektronengase durch Überwachsen von implantationsdotiertem Al_xGa_1−xAs — •Christof Riedesel, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150, 44780 Bochum

Wir präsentieren eine Methode, mit der die Erzeugung lateral strukturierter zweidimensionaler Elektronengase (2DEG) in einer Al_xGa_1−xAs/GaAs-Heterostruktur mit invertierter Grenzfläche möglich ist. Dabei wird in einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage (MBE) eine Al_xGa_1−xAs-Schicht auf ein GaAs-Substrat abgeschieden und per Ultrahochvakuum-Transfer in eine Anlage zur Erzeugung eines fokussierten Ionenstrahls (FIB) gebracht. Dort findet eine lateral aufgelöste Dotierung mittels Silizium-Ionenimplantation statt. Nach dem Rücktransfer in die MBE wird ein Al_xGa_1−xAs/GaAs-Heteroübergang gewachsen, an dem sich ein 2DEG ausbildet. Mit dieser Methode können 2DEGs mit Tieftemperaturbeweglichkeiten bis zu 1,6× 10⁶ cm²/Vs und mittleren freien Weglängen bis zu 10 µ m hergestellt werden. Wir zeigen Messungen an ersten ortsaufgelösten Strukturen, wie z. B. einem Hallbar, der lediglich durch das Implantationsmuster und nicht etwa durch Mesa-Ätzen definiert wurde.

Diese Arbeit wird dankenswerterweise gefördert im BMBF-Vorhaben 01 BM 908/6.