Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 55: Störstellen / Amorphe Halbleiter
HL 55.2: Talk
Friday, March 28, 2003, 12:00–12:15, BEY/154
Elektronische Eigenschaften amorpher und kristalliner ternärer und quaternärer Tellurlegierungen — •Henning Dieker und Matthias Wuttig — I. Physikalisches Institut (IA), Lehrstuhl für Physik neuer Materialien, RWTH Aachen, 52056 Aachen
Chalkogenidlegierungen, die Anwendung in wiederbeschreibbaren optischen
Datenspeichern wie CD-RW oder DVD±RW finden, zeigen neben dem starken
optischen Kontrast zwischen der amorphen und der kristallinen Phase einen
noch ausgeprägteren Unterschied der Widerstände der beiden Phasen.
Daher eignen sich solche Legierungen auch für nicht flüchtige
elektronische Datenspeicher.
Für verschiedene Tellurverbindungen, die durch Magnetronsputtern sowie
Verdampfen hergestellt wurden, wurde die Beweglichkeitslücke für den
elektronischen Transport bestimmt und mit der optischen Bandlücke
verglichen. Zusätzlich wurde die feldabhängige Leitfähigkeit dieser
Legierungen gemessen. Bei einer kritischen Feldstärke Fth zeigen die
amorphen Proben einen sprunghaften Anstieg der Leitfähigkeit
(Threshold-switching). Durch den erhöhten Stromfluss heizt die Legierung
über die Kristallisationstemperatur auf und bleibt nach Abschalten des
Stroms im kristallinen Zustand (Memory-switch). Die Kinetik dieses Vorgangs
wurde für verschiedene Chalkogenidlegierungen untersucht.