Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 55: Störstellen / Amorphe Halbleiter
HL 55.5: Talk
Friday, March 28, 2003, 12:45–13:00, BEY/154
Untersuchungen zur Rekombinationskinetik von Pb-Zentren an c-Si/SiO2-Grenzflächen — •Felice Friedrich, Christoph Böhme, Klaus Lips und Walther Fuhs — Hahn-Meitner-Institut, Abt. Silizium-Photovoltaik, Kekuléstr. 5, D-12489 Berlin
Die Kinetik der spinabhängigen Rekombination von Ladungsträgern an gebrochenen Si-Bindungen der c-Si/SiO2-Grenzfläche (Pb-Zentren) wurde mit Hilfe der gepulsten elektrisch detektierten magnetischen Resonanz (gepulste EDMR) untersucht. Da die Rekombination über paramagnetische Pb-Zentren den Spinauswahlregeln unterworfen ist (Pauli-Prinzip), kann durch eine kohärente Anregung des Spinensembles mittels sehr kurzer und starker Mikrowellenpulse die Rekombinationsrate gezielt moduliert werden (Rabi-Oszillation). Dies läßt sich direkt als Modulation der Photostromtransiente messen. Durch die Untersuchung der Inkohärenzzeiten dieser Transienten lassen sich - unter Berücksichtigung der Spin-Spin-Wechselwirkung - die Singulett- und Triplettrekombinationsraten der Pb-Zentren bestimmen. Die Ergebnisse werden in einem Rekombinationsmodell diskutiert, welches den direkten Einfang der Ladungsträger an Pb-Zentren beinhaltet.