HL 55: Störstellen / Amorphe Halbleiter
Friday, March 28, 2003, 11:45–13:30, BEY/154
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11:45 |
HL 55.1 |
Electron trapping by excited microvoids - an explanation of the Staebler-Wronski effect — •Krüger Thomas
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12:00 |
HL 55.2 |
Elektronische Eigenschaften amorpher und kristalliner ternärer und quaternärer Tellurlegierungen — •Henning Dieker und Matthias Wuttig
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12:15 |
HL 55.3 |
Photoionization of deep defect centers in low temperature grown GaAs — •C. Steen, P. Kiesel, M. Öchsner, V. Donchev, S. Malzer, and G.H. Döhler
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12:30 |
HL 55.4 |
Der Leerstelle-Cd Komplex in Si und Ge — •H. Hoehler, N. Atodiresei, K. Schroeder, R. Zeller und P.H. Dederichs
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12:45 |
HL 55.5 |
Untersuchungen zur Rekombinationskinetik von Pb-Zentren an c-Si/SiO2-Grenzflächen — •Felice Friedrich, Christoph Böhme, Klaus Lips und Walther Fuhs
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13:00 |
HL 55.6 |
Atomare Struktur und Widerstand von amorphen CdTeAu-Legierungen — •Mario Spindler, Michael Lang, Jose Barzola und Peter Häussler
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13:15 |
HL 55.7 |
Zur Struktur amorpher Halbleiter — •Jose Barzola Quiquia und Peter Haeussler
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